Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- Volume 9 Issue 2
- /
- Pages.881-883
- /
- 2005
A study on Current-Voltage Relation for Double Gate MOSFET
DGMOSFET의 전류-전압 특성에 관한 연구
- Jung, Hak-Kee (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
- Ko, Suk-Woong (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
- Na, Young-Il (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
- Jung, Dong-Su (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University)
- Published : 2005.10.28
Abstract
In case is below length 100nm of gate, various kinds problem can be happened with by threshold voltage change of device, occurrence of leakage current by tunneling because thickness of oxide by 1.5nm low scaling is done and doping concentration is increased. SiO
게이트의 길이가 100nm 이하인 경우에는 절연막의 두께도 1.5nm 이하로 스케일링되며, 도핑농도도 증가하게 되기 때문에 소자의 문턱전압 변화, 게이트 절연막의 터널링에 의한 허용치 이상의 누설전류의 발생 등 여러 가지 문제점이 발생될 수 있다. SiO