Proceedings of the KAIS Fall Conference (한국산학기술학회:학술대회논문집)

The Korea Academia-Industrial cooperation Society (한국산학기술학회)
권호 표지

Current Gain Enhancement in SiGe HBTs

SiGe HBT의 Current Gain특성 개선

  • Song Ohsung (Dept of Materials Science and Eng., The University of Seoul) ;
  • Yi Sandon (Dept of Materials Science and Eng., The University of Seoul) ;
  • Kim Dugjoong (Dept of Materials Science and Eng., The University of Seoul)
  • 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 이상돈 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 김득중 (서울시립대학교 신소재공학과)
  • Published : 2004.06.01
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Abstract

초고속 RF IC의 핵심소자인 SiGe에피텍시층을 가진 이종양극트란지스터 (hetero junction bipolar transistor: HBT)를 0.35um급 CMOS공정으로 제작하였다. 이때 IOW $V_{BE}$영역에서의 Current Gain의 선형성을 향상시키기 위하여 Capping 실리콘의 두께를 200과 300${\AA}$으로 나누고 EDR (Emitter Drive-in RTA)의 온도와 시간을 900$\~$1000C, 0$\~$30sec로 각각 변화시키면서 최적조건을 알아보았다. 실험범위 내에서의 최적공정조건은 300${\AA}$의 capping 실리콘과 975C-30sec의 EDR조건이었다.

Keywords