Structural dependence of a gain saturation and noise figure in a traveling-wave semiconductor optical amplifier

진행파형 반도체 광증폭기에서 이득포화 및 잡음특성의 활성층 구조 의존성

  • 장세윤 (한양대학교 전자전기제어계측공학과) ;
  • 심종인 (한양대학교 전자전기제어계측공학과) ;
  • 이정석 (삼성전자 광통신연구소) ;
  • 김호인 (삼성전자 광통신연구소) ;
  • 윤인국 (삼성전자 광통신연구소) ;
  • 김승우 (삼성전자 광통신연구소) ;
  • 신현철 (삼성전자 광통신연구소) ;
  • 어영선 (한양대학교 전자전기제어계측공학과)
  • Published : 2004.02.12

Abstract

The optical gain saturation and noise figure characteristics of 1550nm traveling-wave semiconductor optical amplifiers are analyzed experimentally and theoretically. The result shows that there is an optimum active layer thickness for high saturation output power and low noise figure.

Keywords