Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Comparison of Cu wafer and Disc using the electrochemical and Friction method during the CMP (Chemical Mechanical Planarization)

CMP 공정중 전기화학적 방법과 마찰력을 이용하여 Cu wafer와 Disc의 특성 비교

  • Kang, Young-Jae (Department of Metallurgy and Materials Engineering, Hanyang university) ;
  • Eom, Dae-Hong (Department of Metallurgy and Materials Engineering, Hanyang university) ;
  • Song, Jae-Hoon (Department of Metallurgy and Materials Engineering, Hanyang university) ;
  • Park, Jin-Goo (Department of Metallurgy and Materials Engineering, Hanyang university)
  • 강영재 (한양대학교 금속재료공학과) ;
  • 엄대홍 (한양대학교 금속재료공학과) ;
  • 송재훈 (한양대학교 금속재료공학과) ;
  • 박진구 (한양대학교 금속재료공학과)
  • Published : 2004.07.05
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Abstract

Copper는 낮은 저항률과 높은 Electromigration 저항 때문에 반도체 소자에 배선 재료로 사용된다. CMP 공정을 이용 하여 Cu wafer의 여러 가지 특성을 파악하기에는 wafer의 소모량이 많고 고가가의 비용이 예상 되므로, 본 논문에서는 비용절감을 위하여 wafer를 Disc로 대체 하고자 실험을 진행 하였고 Cu wafer와 Disc의 비료 방법은 우선 PM-5 (Genitech. co) 장비를 이용하여 removal rate의 차이점을 알 아 보았으며, 서로의 etch rate을 reomval rate과 비교하였다. EG&G 273A를 통하여 Cu wafer와 disc의 corrosion potential과 $R_p$ (Polarization resistance)값을 서로 비교 하였다. 이 논문에서는 이러한 것들을 서로 비교 하여, Cu wafer와 disc에서의 상관관계를 알고자 하였으며, 만약에 Cu wafer와 disc의 특성이 비슷하다면, Cu wafer 대신에 disc를 이용 하여 실험하여도 되는지에 관하여 조사 하였다.

Keywords