Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Nano-structure Analysis on $V_2O_5$ Nanowires

$V_2O_5$ 나노선의 나노 구조 분석

  • Lee, Hyung-Dong (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Pieh, Sung-Hoon (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Chang, Yu-Jin (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Gyu-Tae (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Park, Sung-Joon (Department of Chemical & Biological Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Yong-Kwan (Department of Chemical & Biological Engineering, Korea University) ;
  • Ha, Jeong-Sook (Department of Chemical & Biological Engineering, Korea University)
  • Published : 2004.11.11
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Abstract

[ $V_2O_5$ ] 나노선의 구조 분석을 위해 STM(Scanning Tunneling Microscopy)과 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 단일 $V_2O_5$ 나노선의 이미지를 얻었다. $V_2O_5$ 나노선은 상온에서 ammonium metavanadate$(NH_4VO_3)$와 양이온 교환수지$(DOWEX50{\times}8-100)$를 2차 증류수에 섞어 합성하였다. STM 시료는 3-APS(3-aminopropyltriethoxysilane)를 전 처리한 실리콘 기판에 $V_2O_5$ 나노선을 올려 만들었고, TEM 시료는 200 mesh/copper 그리드에 침전시켜 준비하였다. STM과 TEM의 결과로부터 $V_2O_5$ 나노선의 기하학적 단면이 $1.5nm{\times}10nm$에 거의 근사하는 것을 확인하였으며 두 이미지의 비교를 통해 $V_2O_5$ 나노선의 표면상태에 대해 논의하였다.

Keywords