Strain Relaxation of $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ on Si(100) by Oxide Capping and Thermal Annealing

산화막 형성과 열처리를 이용한 $Si_{0.77}Ge_{0.23}$ 박막의 격자 이완

  • 김현우 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 홍석원 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 배덕규 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 송석찬 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 최석 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 정승훈 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 윤의준 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2004.05.14