Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Side gate length dependent C-V Characteristic for Double gate MOSFET

Side gate 길이에 따른 Double gate MOSFET의 C-V 특성

  • 김영동 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 고석웅 (군산대학교 전자정보통신공학) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보통신공학) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보통신공학부)
  • Published : 2004.05.01
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Abstract

In this paper, we have investigated characteristics of C-V for double gate MOSFET with main gate and side gate by the variation of side sate length and side gate voltage. Main gate voltage is changed from -5V to +5V. We know that characteristics of C-V is good under the condition of LSG=70nm, VSG=3V, VD=2V. We have analyze characteristics of device by ISE-TCAD.

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하기 위하여 side gate 길이와 side gate 전압을 변화시켜 조사하였다. Main gate 전압은 -5V에서 +5V까지 변화시켰으며, main gate 길이가 50nm, side gate 길이가 70nm, side gate 전압이 3V, drain 전압이 2V일때 우수한 C-V 특성을 얻었다. 이 때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

Keywords