한국정밀공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference)
- 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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- Pages.144-144
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- 2004
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- 2005-8446(pISSN)
CMP 공정에서 접촉계면 특성변화에 따른 마찰력 신호 분석
초록
마이크로프로세서가 점점 더 고집적화 되어감에 따라 가장 중요한 반도체 제조 기술 중 하나인 로광시 초점 심도를 맞추기 위해 웨이퍼의 광역 평탄화가 요구되어 왔다. 화학 기계적 연마기술(CMP： Chemical Mechanical Polishing)은 80년대 중반 IBM에 의해 제안된 이후 이러한 요구를 만족시키기 위해서 마이크로프로세서산업에 있어서 필수 기술로 자리매김 되고 있다. 화학 기계적 연마기술은 연마 결과에 영향을 미치는 인자가 많아 체계적인 기술로 발전되지 못하고 경험적인 기술에 머물러 있는 단계이다.(중략)