Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Study of thermal stability of Nitrogen doped Nickel Germanosilicide

Nitrogen 도핑된 Nickel Germanosilicide의 열안정성 연구

  • Oh Soon-Young (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Yun Jang-Gn (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Hwang Bin-Feng (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Kim Yong-Jin (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Ji Hee-Hwan (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Kim Ui-Sik (System IC R & D Division, Hynix Semiconductor Inc.) ;
  • Cha Han-Seob (System IC R & D Division, Hynix Semiconductor Inc.) ;
  • Heo Sang-Bum (System IC R & D Division, Hynix Semiconductor Inc.) ;
  • Lee Jeong-Gun (System IC R & D Division, Hynix Semiconductor Inc.) ;
  • Wang Jin-Suk (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee Hi-Deok (Dept. Electronics Engineering, Chungnam National University)
  • 오순영 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 윤장근 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 황빈봉 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 김용진 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 지희환 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 김의식 (하이닉스 반도체, 시스템 IC R&D 부) ;
  • 차한섭 (하이닉스 반도체, 시스템 IC R&D 부) ;
  • 허상범 (하이닉스 반도체, 시스템 IC R&D 부) ;
  • 이종근 (하이닉스 반도체, 시스템 IC R&D 부) ;
  • 왕진석 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
  • Published : 2004.06.01
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Abstract

본 논문에서는 $20\%$ Ge 조성 비율을 갖는 SiGe 200nm 에 $1\%$-Nitrogen doping 된 Nickel 을 이용하여 새로운 Nickel Germanosilicide 방법을 제안하여 Ni-Germanosilicide 의 단점인 열 안정성 개선에 대해 연구하였다. Nitrogen atom 이 grain boundary 에 존재하여 Nickel의 diffusion을 억제시키는 역할을 하여 shallow한 실리사이드와 uniform 한 실리사이드 계면 특성을 얻게 되었다. 그리고 실리사이드 형성 후, 고온로 열처리 $600^{\circ}C$, 30min 후에도 낮고 안정한 면 저항 특성으로 열안정성 개선 할 수 있다.

Keywords