($C_4F_8$$Si_2H_6/He$을 전구체로 사용하여 PECVD로 성장시킨 비정질 불화탄소막의 제조 및 특성)

  • 김호운 (경북대학교 전자공학과) ;
  • 신장규 (경북대학교 전자공학과) ;
  • 권대혁 (경일대학교 전자정보공학과)
  • 발행 : 2003.08.20