초록
본 논문에서는 ZnO를 사용한 다층 박막 SMR 소자의 공진 특성을 개선하기 위해서 실리콘 기판 상부에 형성된 W/SiO$_2$의 Bragg reflector를 thermal annealing한다. SMR 소자의 공진 특성은 Bragg reflector에 적응된 annealing 조건에 의존함을 관찰할 수 있었다. annealing을 하지 않은 Bragg reflector를 갖는 SMR 소자와 비교했을 경우, 40$0^{\circ}C$/30min의 조건으로 annealing된 Bragg reflector를 갖는 SMR 소자가 가장 훌륭한 공진특성을 나타내었다. 새롭게 제안된 annealing 공정은 W/SiO$_2$ 다층 박막 Bragg reflector를 갖는 SMR 소자의 공진 특성을 효과적으로 개선시키는데 있어 매우 유용할 것으로 보인다.
In this work, We, for the first time, present the effects of the thermal annealing of the W/SiO$_2$ multi-layer quarter wavelength reflectors on the resonant properties of the ZnO-based SMR devices. In order to improve the resonant properties of the SMR devices, we annealed thermally the reflectors formed on a silicon substrate using a RF magnetron sputtering technique. As a result, the resonant properties of the SMR devices were observed to strongly depend on the annealing conditions applied to the reflectors. The SMR devices with the reflectors annealed at 40$0^{\circ}C$/30min showed excellent resonance properties as compared to those with the reflectors non-annealed (as-deposited). The newly proposed simple thermal annealing process will be very useful to more effectively improve the resonant properties of the future SMR devices with W/SiO$_2$ multi-layer quarter wavelength reflectors.
