한국광학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Optical Society of Korea Conference)
- 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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- Pages.104-105
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- 2003
높은 Responsivity와 광결합 공차를 가지는 면입사형 p-i-n 광검출소자의 설계 및 제작
Design and Fabrication of Side-illuminated p-i-n Photodetectors with High Responsivity and Coupling Tolerance
- 이도영 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 Lab) ;
- 강화영 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 La) ;
- 전병옥 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 La) ;
- 양승기 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 La) ;
- 이은화 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 La) ;
- 김태진 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 La) ;
- 장동훈 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 La) ;
- 김태일 (삼성전자 TN총괄 통신연구소 N/W연구팀 광전자 Lab)
- 발행 : 2003.07.01
초록
We have fabricated a side-illuminated p-i-n photodetectors with evanescently-coupled waveguides for surface hybrid integration in low-cost modules. We adopted WGPD of evanescently-coupled type to have high responsivity and coupling tolerance, and to avoid any reliability problem. This proposed photodetectors have a high responsivity of 1.10 A/W at a wavelength of 1.55
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