Photodetection Characteristics of InAlAs/InGaAs/InP HEMT

InAlAs/InGaAs/InP HEMT의 광검출 특성

  • 강효순 (연세대학교 전기전자공학과) ;
  • 최창순 (연세대학교 전기전자공학) ;
  • 최우영 (연세대학교 전기전자공학) ;
  • 장경철 (서울대학교 전기공학) ;
  • 서광석 (서울대학교 전기공학부)
  • Published : 2003.02.01

Abstract

무선 통신 시스템이 발달하고 정보의 양이 많아짐에 따라 고주파를 이용한 통신 시스템에 대한 수요가 증가하고 있다. 최근 이러한 고주파 통신 시스템을 optical fiber를 이용하여 구현(Radio-on-fiber system)하는 연구가 주목받고 있다. 무선 고주파 통신 시스템에서는 많은 수의 안테나 기지국이 필요하게 되는데 optical fiber를 이용하면 적은 전송 손실로 기지국간의 연결이 가능하게 된다. 안테나 기지국의 구축을 위해서 최근 InP High Electron Mobility Transistor(HEMT)를 이용하여 광 검출을 구현하는연구가 활발히 진행되고 있다. (중략)

Keywords