Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Studies on Optimization of PHEMTs

PHEMT 소자 최적화에 대한 연구

  • 한효종 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 이문교 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 설우석 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 이복형 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 이한신 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 임병옥 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 김삼동 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터) ;
  • 이진구 (동국대학교 밀리미터파 신기술 연구센터)
  • Published : 2003.07.01
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Abstract

We have studied PHEMTs optimization by means of fabrication of PHEMTs. All PHEMTs have been fixed with a gate length of 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$, a gate head size of 0.75${\mu}{\textrm}{m}$, and two gate fingers. We have measured the characteristics of PHEMTs with variation of source-drain spacing, pad size, and gate width. As a result, we have found the enhanced characteristics of $I_{dss}$, $S_{21}$, $h_{21}$, $f_{T}$, $f_{max}$, and $G_{ms}$ with increasing gate width. Also, $g_{m}$ has improved with decreasing source-drain spacing, and $S_{21}$ has improved with deceasing pad size.e.e.e.e.

Keywords