Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

An implementation of the caughey-thomas mobility model with velocity saturation

속도포화 효과를 고려한 caughey-thomas 이동도 모델의 구현

  • 윤석성 (인하대학교 전자공학과) ;
  • 이은구 (인하대학교 전자공학과) ;
  • 윤현민 (인하대학교 전자공학과) ;
  • 김태한 (인하대학교 전자공학과) ;
  • 김철성 (인하대학교 전자공학과)
  • Published : 1998.06.01
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Abstract

단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예측하기 위해서 caughey-thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 구현된 caughey-thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[.mu.m]의 설계규칙을 가즌 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 p-MOSFET을 제작하였다. 전자 및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2*10/sup 6/[cm/sec] 과 1.034*10/sup 7/[cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[.mu.m] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.

Keywords