Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 1998.06a
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- Pages.445-448
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- 1998
An analysis of latch-u immunity on triple-well and twin-well architecgure using a high energy ion implanttion
고에너지 이온주입에 의한 triple-well과 twin-well 구조에서 래치업 예방을 위한 해석
Abstract
본 논문은 triple-well과 twin-well에서의 고에너지 이온주입 에너지와 도즈량 변화에 따른 래치업 특성을 비교하였다. 공정시뮬레이터인 ATHENA로 소자를 제작하고 도핑프로파일 형태와 구조를 조사한 후, 래치업 특성은 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 이용하였다. triple-well 공정이 마스크 스텝수를 줄이고, 이온주입 후 열처리시간을 단축하며 별도의 열처리 공정없이 도핑르로파일을 넓은 형태로 분포시켜 래치업 면역특성이 매우 좋은 결과를 얻었다.
Keywords