대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

다결정 실리콘 박막 트렌지스터의 self-heating 효과를 감소시키기 위한 ILD 구조 개선

ILD(Inter-layer Dielectric) engineering for reduction of self-heating effort in poly-Si TFT

  • 박수정 (서울대학교 공과대학 전기컴퓨터 공학부) ;
  • 문국철 (서울대학교 공과대학 전기컴퓨터 공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 공과대학 전기컴퓨터 공학부)
  • Park, Soo-Jeong (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Moon, Kook-Chul (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
  • 발행 : 2002.11.09
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초록

유리기판 위에서 제작된 다결정 실리콘 TFT(Thin Film Transistor) 에서는 열전도율이 낮은 실리콘 산화막 같은 물질이 사용되기 때문에 열에 대해서 낮은 임계점을 갖는다. 이로 인하여. 게이트와 드레인에 높은 전압이 걸리는 조건에서 동작시킬 경우에는 다결정 실리콘 TFT에서의 열화 현상이 두드러지게 나타나게 된다. 그러나, 열전도율이 실리콘 산화막(SiO2) 보다 열배 이상 높은 실리콘 질화막(SiNx)을 ILD(inter-layer dielectric) 재료로 사용했을 때 같은 스트레스 조건에서 다결정 실리콘의 신뢰성이 개선되는 것을 확인할 수 있었다.

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