한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)

한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지

나노 구조 Double Gate MOSFET의 핀치오프특성에 관한 연구

A study on the pinch-off characteristics for Double Gate MOSFET in nano structure

  • 고석웅 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부)
  • 발행 : 2002.11.01
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초록

본 논문에서는 main gate(MG)와 side gate(SG)를 갖는 double gate(DG) MOSFET를 디자인하고 TCAD를 이용하여 시뮬레이션하였다. MG와 SG의 길이(LMG, LSG)는 각각 50nm, 70nm로 하였으며, MG와 SG의 전압(VMG, VSG)이 각각 1.5V, 3.0V일 때 드레인전압(VD)을 0에서 1.5V까지 변화시키면서 핀치오프특성을 조사하였다. LMG가 아주 작음에도 불구하고, 핀치-오프특성이 아주 좋게 나타났다. 이것은 DG MOSFET의 VMG가 게이트를 제어하는 역할을 잘 수행하여 나노 구조에서 유용한 구조임을 알 수 있었다.

In this paper, we designed double gate(DG) MOSFET structure which has main gate(MG) and two side gates(SG). We have simulated using TCAD simulator. DG MOSFET have the main gate length of nm and the side gate length of 70nm. Then, we have investigated the pinch-off characteristics, drain voltage is changed from 0V to 1.5V at VMG=1.5V and VSG=3.0V. In spite of the LMG is very small, we have obtained a very good pinch-off characteristics. Therefore, we know that the DG structure is very useful at nino scale.

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