전력전자학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIPE Conference)

전력전자학회 (The Korean Institute of Power Electronics)
권호 표지

Gate-LDD구조를 가진 LDMOS 전력소자의 전기적 특성

Electrical Characteristics of LDMOS Power Device with LDD Structure

  • 오정근 (충북대학교 반도체공학과) ;
  • 김남수 (충북대학교 반도체공학과)
  • Oh Jung-Keun (School of Semiconductor Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Kim Nam-Su (School of Semiconductor Engineering, Chungbuk National University)
  • 발행 : 2002.07.01
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초록

LDD구조를 가진 LDMOS 전력소자의 LDD영역과 채널영역변화에 의한 전기적 특성을 비교 조사하였다. MEDICI 시뮬레이션 tool을 이용하여 hot-carrier전류의 특성, ON 저항의 변화, breakdown 전압의 특성과 switch transient 특성을 조사하였다. Gate-drain 사이의 불순물도핑 영역 및 농도에 따른 소자의 특성해석은 LDD구조를 가진 LDMOS가 hot-carrier resistance 및 전력소모 관점에서 우수한 특성을 나타낼 것으로 사료된다

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