Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2002.07c
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- Pages.1615-1617
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- 2002
A New Junction Termination Improving Breakdown Characteristics of Power Devices by Using Shallow Silicon Oxide Trench
전력용 반도체 소자의 항복 전압 특성을 개선한 얇은 실리콘 산화막 트렌치를 이용한 새로운 접합 마감
- Ha, Min-Woo (School of Electrical Engineering & Computer Science Seoul National University) ;
- Oh, Jae-Geun (School of Electrical Engineering & Computer Science Seoul National University) ;
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Han, Min-Koo
(School of Electrical Engineering & Computer Science Seoul National University) ;
- Choi, Yearn-Ik (Ajou University)
- Published : 2002.07.10
Abstract
본 논문은 얇은 실리콘 산화막 트렌치를 이용하여 같은 항복 전압에서 면적을 줄이는 접합 마감(junction termination)을 제안하였다. 제안된 P+FLR(Floating Field Ring) 구조는 기존 P+ FLR구조에 비해 항복 전압 571 V에서 면적을 83 %로 감소시켜 접합 마감 특성이 개선되었다.
Keywords