대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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- Pages.106-108
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- 2001
선택적인 Si 이온 주입이 비정질 실리콘의 레이저 결정화에 미치는 영향
Effects of Selective Si ion-Implantation on Excimer Laser Annealing of Dehydrogenrated a-Si Film
- 남우진 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
- 이민철 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
- 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실)
- Nam, Woo-Jin (School of electrical engineering, Seoul National University) ;
- Lee, Min-Cheol (School of electrical engineering, Seoul National University) ;
- Han, Min-Koo (School of electrical engineering, Seoul National University)
- 발행 : 2001.11.03
초록
본 실험에서는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)으로 증착한 비경질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 박막에 국부적으로 Si+ 이온을 주입한 후 엑시머 레이저 어닐링(exicimer laser annealing, ELA)을 수행하여 그레인의 수평 성장(lateral growth)에 미치는 영향을 관찰한다. Si+ 이온 주입은 비정질 실리콘 박막의 원자 결합 에너지를 효과적으로 감소시키는 역할을 하여 박막이 녹기 시작하는 문턱(threshold) 에너지가
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