(GaN MODFET Large Signal modeling using Modified Materka model)

Modified Materka model를 이용한 GaN MODFET 대신호 모델링

CaN(gallium nitride) MODFET(modulation doped field effect transistor) large signal model was studied using Modified Materka-Kacprzak large signal MODFET model. using the Dambrine's method［3, at 45MHz-40㎓, Measured S-parameter and DC characteristics. based on measuring results, small signal parameter extraction was conducted. by the cold FET［4］method, measured parasitic elements were de-embedding. Extracted small signal parameters were modeled using modified Materka model, a sort of fitting function reproduce measuring results. to confirm conducted large signal modeling, modeled GaN MODFET's DC, S-parameter and Power characteristics were compared to measured results, respectively. by results were represented comparatively agreement, this paper showed that modified Materka model was useful in the GaN MODFET large signal modeling.

Modified Materka-Kacprzak 대신호 MODFET(modulation-doped field-effect transistor) model을 사용하여 GaN(gallium nitride) MODFET 대신호 모델링을 수행하였다. Dambrine(3)이 제안한 방법에 따라 45㎒에서 40㎒의 주파수 범위에 걸쳐 S-parameter 및 DC특성을 측정하였으며, 측정결과를 토대로 cold FET 방법［4］에 의해 측정된 기생성분들을 de-embedding 함으로써 소신호 파라미터를 추출하였고, 추출된 소신호 파라미터는 함수를 사용하여 측정결과를 재현하는 맞춤함수 모델의 일종인 modified Materka 모델을 사용하여 모델링하였다. 수행된 대신호 모델링을 검증하기 위하여 모델링된 GaN MODFET의 DC 및 S-파라미터, 전력특성을 측정값과 각각 비교해 보았을 때 비교적 일치하고 있음을 보여서 GaN 대신호 모델링을 검증하였으며, modified Materka 모델이 GaN MODFET 대신호 모델링에 유용하게 사용될 수 있음을 보였다.