Slip Formation of 300mm Polished and Epitaxial Silicon Wafer Annealed by Rapid Thermal Annealing

Rapid thermal Annealing에 의한 300mm Polished 및 Epitaxial 실리콘 웨이퍼의 슬립 형성

  • 박기훈 (한양대학교 첨단 반도체 소재/소자 개발연구소) ;
  • 이곤섭 (한양대학교 첨단 반도체 소재/소자 개발연구소) ;
  • 박재근 (한양대학교 첨단 반도체 소재/소자 개발연구소) ;
  • 조규철 (삼성전자 기흥, 생산 기술팀)
  • Published : 2001.11.01