Proceedings of the Optical Society of Korea Conference (한국광학회:학술대회논문집)
- 2000.02a
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- Pages.172-173
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- 2000
Determination of Interface Layer between $Si_3N_4$ Thin Films and c-Si Substrate Using S-wave Antireflection
s-wave 무반사 조건을 이용한 $Si_3N_4$ 박막과 c-Si 기판사이의 계면층 결정
Abstract
디지털 시대에 접어들면서 반도체 소자들에 대한 고속화 및 소형화 요구가 더욱 증대되었으며 이를 충족시키기 위해서 고집적, 고성능의 소자 제작기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 이에 따라 필연적으로 게이트 유전 박막의 두께가 1 nm 정도까지 얇아질 것으로 예측되고 있다[표 1 참조].
Keywords