반도체소자의 정전기방전(ESD)에 의한 장해

정전기 장해대책의 기본은 정전기의 발생을 억제하는 것과 축적된 전하를 될 수 있는 대로 조속히 완화시키는 것이다. 정전기로 인한 장해는 여러 분야에서 발생되고 있으며 그 중요성 및 심각성을 간과할 수 없다. 그 중에서 반도체 분야는 경제성, 고성능화, 고신뢰성화의 실현을 위하여 반도체소자가 점차 LSI화되고 그 때문에 기술경향은 미세화, 집적화가 매년 진행되어 미크론의 시대에 이르렀으며 접합깊이, 게이트 산화막, 트랜지스터의 길이 등이 상당히 작아지고 있다. (중략)