Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Investigation for Channel Length Influence in Si-Based MOSFET

Si-기반 MOSFET의 채널 길이에 따른 영향의 조사

  • 정정수 (군산대학교 전자종보공학부) ;
  • 심성택 (군산대학교 전자종보공학부) ;
  • 장광균 (군산대학교 전자종보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자종보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자종보공학부)
  • Published : 2000.10.01
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Abstract

The channel length influence of n-channel Si-based FETs is investigated by computer simulation. Using a two-dimensional hydrodynamic model, devices having various gate length are examined. We have observed the characteristics of LDD model of MOSFET by investigating of their current, voltage, electric field and impact ionization. These devices are scaled using various factors. We have analyzed I-V characteristics and the effect of impact ionization according to channel length.

컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 Si-기반 n 채널 MOSFET의 채널길이에 따른 영향을 조사하였다. 이차원 유체역학적 모델을 사용하여, 다양한 게이트 길이를 가진 소자들을 실험하였다. LDD MOSFET 소자 모델을 사용하여 전류, 전압, 전계 및 임팩트 이온화를 조사·분석하였다. 이러한 소자들은 다양한 scaling 인수로 scaling되었다. 채널 길이에 따른 I-V 특성과 임팩트이온화의 효과를 분석하였다.

Keywords