Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 2000.06b
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- Pages.310-313
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- 2000
Study on characteristics of p-GaN ohmic contacts by rapid thermal annealing
열처리에 따른 p-GaN의 오믹접촉 특성에 관한 연구
- Kim, D.S. (Dongguk University) ;
-
Lee, S.J.
(Dongguk University) ;
- Seong, K.S. (Dongguk University) ;
- Kang, Y.M. (Dongguk University) ;
- Cha, J.H. (Dongguk University) ;
- Kim, N.H. (Dongguk University) ;
- Jung, W. (Dongguk University) ;
-
Cho, H.Y.
(Dongguk University) ;
-
Kang, T.W.
(Dongguk University) ;
- Kim, D.Y. (Dongguk University) ;
- Lee, Y.H. (Dongguk University)
- 김두수 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
-
이세준
(동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 성규석 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 강윤묵 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 차정호 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 김남화 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 정웅 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
-
조훈영
(동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
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강태원
(동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 김득영 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
- 이연환 (동국대학교 정보통신공학과)
- Published : 2000.06.01
Abstract
In this study, the Au/Ni and Au/Ni/Si/Ni layers prepared by electron beam evaporation were used to form ohmic contacts on p-type GaN. Before rapid thermal annealing, the current-voltage(I-V) characteristic of Au/Ni and Au/Ni/Si/Ni contact on p-type GaN film shows non-ohmic behavior. A Specific contact resistance as 3.4
Keywords