대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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- Pages.921-923
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- 1999
SOI 기판을 이용한 1-트랜지스터 구조 강유전체 비휘발성 메모리(MFS-FET)의 제작 및 평가
Fabrication and Estimation of Single-Transistor-Cell-Type FeRAM (MFS-FET) Using SOI Substrate
- 김남균 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부) ;
- 이성준 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부) ;
- 최형봉 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부) ;
- 김철주 (서울시립대학교 공과대학 전자전기공학부)
- Kim, N.K. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul) ;
- Lee, S.J. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul) ;
- Choi, H.B. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul) ;
- Kim, C.J. (School of Electrical Engineering College of Engineering The University of Seoul)
- 발행 : 1999.11.20
초록
비휘발성 메모리의 고집적화와 적응학습형 뉴럴 소자의 실현을 위하여 1-트랜지스터 구조 강유전체 비휘발성 메모리(MFS-FET)를 SOI 기판위에 제작하고 평가하였다. 먼저 SBT(
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