Design of a MMIC Distributed Amplifier for DC to 25 ㎓

DC~25 GHz MMIC Distributed Amplifier의 설계

  • Bae, H.C. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Hong, J.Y. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Park, D.S. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Kim, S.C. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • An, D. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Chae, Y.S. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Rhee, J.K. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Youn, Y.S. (S &IC Lab., Dept. of Elec. Eng., Dongguk Univ.) ;
  • Kim, Y.H. (Dept. of EE. PAI CHAI Univ.)
  • 배현철 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 홍주연 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 박덕수 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 김성찬 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 안단 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 채연식 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 이진구 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 윤용순 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 김용호 (배재대학교 컴퓨터.전자.정보공학부)
  • Published : 1999.06.01

Abstract

In this paper, a wideband MMIC distributed amplifier was designed using the fabricated PHEMT with the unit gate width of 80 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 4 gate fingers at our Lab. S$_{21}$ gains are 7.1 ~ 10.0 ㏈. Input and output reflection coefficients obtained from the distributed amplifier in the frequency range of DC~25 ㎓ are lower then -8 ㏈. A chip size of the designed wideband MMIC distributed amplifier is 1.9 mm $\times$ 1.1 mm.

Keywords