Properties of flowable silicon dioxide by LPCVD using $SiH_4$ and $H_2O_2$

$H_2O_2$$SiH_4$를 이용한 LPCVD 유동 산화막의 특성

  • 안상태 (현대전자산업(주) 메모리연구소) ;
  • 박상균 (현대전자산업(주) 메모리연구소) ;
  • 김시범 (현대전자산업(주) 메모리연구소) ;
  • 김삼동 (현대전자산업(주) 메모리연구소) ;
  • 김정태 (현대전자산업(주) 메모리연구소)
  • Published : 1999.11.01