대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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- Pages.1836-1838
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- 1999
선택적으로 도핑된 채널을 가지는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
NEW POLY-SI TFT'S WITH SELECTIVE DOPED REG10N IN THE CHANNEL
- 정상훈 (서울대학교 전기공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
- 이민철 (서울대학교 전기공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
- 전재홍 (서울대학교 전기공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
- 한민구 (서울대학교 전기공학부 전기재료 및 소자 실험실)
- Jung, Sang-Hoon (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
- Lee, Min-Cheol (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
- Jeon, Jae-Hong (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
- Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
- 발행 : 1999.07.19
초록
다결정 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)의 누설전류를 줄이기 위하여 채널의 중간에 선택적으로 도핑된 영역을 가진 새로운 다결정 실리콘 TFT를 제안한다. 제안된 TFT에서는 채널의 일부가 선택적으로 도핑되어 채널 전체에 걸리는 전기장이 재분배된다. 제안된 n-채널 TFT는
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