대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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- Pages.735-736
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- 1998
LDD-nMOSFET의 핫 캐리어 열화 억제를 위한 표면 이온주입 효과에 대한 연구
A study on Effect of Surface ion Implantation for Suppression of Hot carrier Degradation of LDD-nMOSFETs
- 서용진 (대불대학교 전기전자공학부) ;
- 안태현 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
- 김상용 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
- 김태형 (여주대학 전기과) ;
- 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
- 장의구 (중앙대학교 전자전기공학부)
- Seo, Yong-Jin (DaeBul University) ;
- An, Tae-Hyun (ChungAng University) ;
- Kim, Sang-Yong (ChungAng University) ;
- Kim, Tae-Hyung (Yeojoo Institute of Technology) ;
- Kim, Chang-Il (ChungAng University) ;
- Chang, Eui-Goo (ChungAng University)
- 발행 : 1998.11.28
초록
Reduction of hot carrier degradation in MOS devices has been one of the most serious concerns for MOS-ULSIs. In this paper, three types of LDD structure for suppression of hot carrier degradation, such as spacer-induced degradation and decrease of performance due to increase of series resistance will be investigated. LDD-nMOSFETs used in this study had three different drain structure. (1) conventional
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