한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

Cu와 Si 사이에서 확산방지막으로 사용하기 위한 ZrN 층의 연구

A study on ZrN layer as a diffusion barrier between Cu and Si

  • 김창조 (호서대학교 재료공학과) ;
  • 김좌연 (호서대학교 재료공학과) ;
  • 윤의중 (호서대 전기전자제어공학부) ;
  • 이재갑 (국민대학교 금속재료공학과)
  • 발행 : 1998.11.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

The properties of ZrN layer deposited by Sputtering system have been investigated in the application of diffusion barrier layer to copper. ZrN layer exhibited a excellent barrier property up to $700^{\circ}$ and higher resistivity. If an excess $O_2$is protected during the process of ZrN deposition, ZrN layer will be possible to use a diffusion barrier layer to copper.

키워드