한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

A-Si:H/Cd 계면층을 이용한 a-Si:H의 결정화 연구

A study of crystallization of a-Si:H using a-Si:H/Cd interface layer

  • 김도영 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 최유신 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 임동건 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 김홍우 (에너지기술연구소 태양광발전팀) ;
  • 이수홍 (삼성 종합기술원) ;
  • 이준신 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터 공학부)
  • 발행 : 1997.11.01
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초록

We studied the crystallization of a-Si:H thin film. Multi-crystallized Si films are preferred in many applications such as FPD, solar cells, RAM, and integrated circuits. Because most of these applications require a low temperature process, we investigated a crystallization of a-Si:H using a Cd layer. A metal Cd shows an eutectic point at a temperature of 321$^{\circ}C$. This paper present Cd layer assisted crystallization of a-Si:H film for the various grain growth Parameters such as anneal temperature, Cd layer thickness, and anneal time

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