마이크로웨이브법으로 고상결정화 시킨 poly-Si 박막을 이용하여 제작한 저온 poly-Si TFT의 특성

The Characteristics of Low Temperature poly-Si TFT Fabricated with poly-Si Films Crystallized by Microwave Heating

  • 최용우 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 안병태 (한국과학기술원 재료공학과)
  • 발행 : 1997.10.01