Temperature Characteristics of InGaAs/InGaAsP MQW Laser diode grown by Chemical Beam Epitaxy

CBE 법으로 성장한 InGaAs/InGaAsP MQW 레이저 다이오드의 온도 특성

  • 엄창섭 (고려대학교 전자공학과) ;
  • 박경현 (한국과학기술연구원 광기술센터) ;
  • 변영태 (한국과학기술연구원 광기 술센터) ;
  • 한일기 (한국과학기술연구원 광기술센터) ;
  • 우덕하 (한국과학기술연구원 광 기술센터) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원 광기술센터) ;
  • 이정일 (한국과학기술연구원 광기술센) ;
  • 박정호 (고려대학교 전자공학과)
  • Published : 1997.08.01