대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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- Pages.1289-1291
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- 1997
고압용 전류 검지 MOSFET의 해석적 모델링 및 설계
Analytical Modeling and Design of the High Voltage Current Sensing MOSFET
- Yun, Chong-Man (LSI3 Division, SAMSUNG Electronics.) ;
- Jeon, Kwan-Yeon (LSI3 Division, SAMSUNG Electronics.) ;
- Im, Pil-Gyu (LSI3 Division, SAMSUNG Electronics.)
- 발행 : 1997.07.21
초록
전류 센싱 MOSFET의 센싱 셀과 메인 셀의 온저항 모델을 달리 세워 원자재 산포에 따른 소자의 특성 산포 분량의 원인을 규명하였다. 에피의 농도와 두께가 증가할수록 센싱 셀의 온저항이 메인셀보다 작아지며 농도와 두께의 변화가 있을때의 온저항 변화율도 작은것으로 나타났다. 원자재 산포에 의한 SENSE FET 특성 산포를 줄이기 위해서는 정사각형 형태의 SENSE cell 배치가 효과적이며 센스 셀과 메인 셀의 간섭을 방지하기 위해서는 센싱 저항을 센스 셀의 온저항의 1/10 이하로 설계하고 간격이 최소한 에피 두께 이상이 되어야함을 밝혔다.
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