고에너지 이중이온주입(3 MeV $P^+$ + 3 MeV $C^+$) 한 실리콘의 결함거동

Defect Behavior of a Doubly Implanted (3 MeV $P^+$ + 3 MeV $C^+$) Silicon

  • 조남훈 (홍익대학교 금속·재료공학과) ;
  • 허태훈 (홍익대학교 금속·재료공학과) ;
  • 노재상 (홍익대학교 금속·재료공학과)
  • 발행 : 1996.06.01