대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구

A Study on the SOI RESURF LDMOS with a Taper Oxide on the Drain

  • 박일용 (아주대학교 전기전자공학부) ;
  • 김성룡 (아주대학교 전기전자공학부) ;
  • 최연익 (아주대학교 전기전자공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기공학부)
  • 발행 : 1996.07.22
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초록

An the SOI RESURF LDMOS with a taper oxide on the drain is proposed and verified by the device simulator, MEDICI. Simulation results on the proposed LDMOS exhibits the increase in the breakdown voltage by 12 % and reduction in the drift region length by 25 %.

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