Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 1996.07c
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- Pages.1550-1552
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- 1996
The Characteristics of poly-Si films Deposition by Laser CVD and Laser Etching
Laser CVD에 의한 Poly-Si 막의 퇴적 및 Laser etching 특성
- Kwon, K.H. (Dep. of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Kim, Y.H. (Dep. of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Shin, S.W. (Dep. of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Kim, C.D. (Dep. of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
- Sung, Y.K. (Dep. of Electrical Engineering, Korea Univ.)
- 권경환 (고려대학교 대학원 전기공학과) ;
- 김영훈 (고려대학교 대학원 전기공학과) ;
- 신상우 (고려대학교 대학원 전기공학과) ;
- 김창덕 (고려대학교 대학원 전기공학과) ;
- 성영권 (고려대학교 대학원 전기공학과)
- Published : 1996.07.22
Abstract
Poly-Si films were deposited by Laser CVD using 193nm ArF Excimer Laser from disilane(
Keywords