Analysis of metal impurities metal the p-type silicon wafer

P형 실리콘 웨이퍼내의 금속 불순물 분석

  • 이성호 (산업과학기술연구소 반도체 연구팀) ;
  • 김홍락 (산업과학기술연구소 반도체 연구팀) ;
  • 서광 (산업과학기술연구소 반도체 연구팀) ;
  • 강성건 (산업과학기술연구소 반도체 연구팀) ;
  • 김동수 (산업과학기술연구소 반도체 연구팀) ;
  • 류근걸 (산업과학기술연구소 반도체 연구팀) ;
  • 홍필영 (포스코휼스(주) R&D팀)
  • Published : 1995.11.01

Abstract

고집적 회로 제작에 사용되는 P-형 실리콘 웨이퍼 내부에 존재하는 금속불순물을 소수캐리어의 여기변화 등을 이용하는 정성적인 SPV 측정과 정량적인 DLTS 측정을 통해서 비교, 분석하였다. 반도체공정상 중요한 오염원이며, 분석이 쉬운 Fe을 주 오염원으로 하여 분석한 결과 SPV와 DLTS에 의한 Fe는 상호연관관계가 성립하며, p-형 실리콘 웨이퍼내의 Fe, FeB 거동을 20$0^{\circ}C$ quenching으로 관찰할 수 있었으며, 각각의 에너지준위는 0.45 및 0.11eV 임을 확인하였다.

Keywords