고에너지 이온주입된 씰리콘에서 이차결함 생성에 미치는 이온종류(Si, P, B)의 효과

The Effect of Ion Sppecies(Si, P, B) on Secondary Defect Formation in High Energy Impplanted Silicon

  • 조남훈 (홍익대학교 금속·재료공학과) ;
  • 노재상 (홍익대학교 금속·재료공학과) ;
  • 장기완 (한국과학기술원 전자재료공학과) ;
  • 이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과)
  • 발행 : 1995.02.01