고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화된 $n^+$-p 다이오드 특성 분석

• 최도영 (건국대학교 전자공학과) ;
• 이성욱 (건국대학교 전자공학과) ;
• 주정규 (건국대학교 전자공학과) ;
• 강명구 (건국대학교 전자공학과) ;
• 윤석범 (건국대학교 전자공학과) ;
• 오환술 (건국대학교 전자공학과)

• Published : 1994.02.01

• PDF