대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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- Pages.237-240
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- 1991
DLTS 법(法)에 의한 Laser CVD SiON 막(膜)-Si 계(系)의 계면(界面) 특성(特性)
Laser CVD SiON-Si interface investigation by DLTS
- 천영일 (고려대학교 전기공학과) ;
- 김상욱 (고려대학교 전기공학과) ;
- 이승환 (고려대학교 전기공학과) ;
- 박지순 (고려대학교 전기공학과) ;
- 박근영 (고려대학교 전기공학과) ;
- 성영권 (고려대학교 전기공학과)
- Chun, Young-Il (Korea University) ;
- Kim, Sang-Wook (Korea University) ;
- Yi, Seung-Hwan (Korea University) ;
- Park, Ji-Soon (Korea University) ;
- Park, Geun-Young (Korea University) ;
- Sung, Yung-Kwon (Korea University)
- 발행 : 1991.11.22
초록
In this paper, silicon oxynitride(SiON) films were chemically deposited by 193 nm Excimer laser irradiated parallel to the substrate. the laser pulse energy was 80 mJ, repetetion rate was 80 Hz and the laser average power was 6.4 watt, the gas ratio of
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