대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(I)
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- Pages.546-548
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- 1987
절연층상에 인을 주입시킨 실리콘 박막의 RTA 방법에 의한 재결정화
Recrystallization of Phosphorus Ion Implanted Silicon on Insulator(SOI) by RTA Method
- 김춘근 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실) ;
- 김현수 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실) ;
- 김용태 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실) ;
- 민석기 (한국과학기술원, 반도체재료 연구실)
- Kim, Chun-Keun (KAIST, Semiconductor Materials Lab.) ;
- Kim, Hyun-Soo (KAIST, Semiconductor Materials Lab.) ;
- Kim, Yong-Tae (KAIST, Semiconductor Materials Lab.) ;
- Min, Suk-Ki (KAIST, Semiconductor Materials Lab.)
- 발행 : 1987.07.03
초록
We have studied 1iquid phase regrowth of phosphorus ion implanted silicon films on insulator (SOI) by rapid thermal annealing (RTA) method. Many twin boundaries were observed on the regrown silicon layer and mobility of the layer was increased from
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