• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.81-82
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• 2008

하이브리드 코팅 시스템을 이용하여 $CrMoC_xN_{1-x}$ 박막을 AISI D2와 실리콘 웨이퍼 모재 위에 증착하였다. 박막 내 탄소 함량은 $CH_4/(CH_4+N_2)$ 가스 유량 증가에 비례하여 증가했다. 탄소 함량이 0.33일 때 44GPa의 최대강도 및 -4.4GPa의 잔류응력을 나타내었다. CrMoN 박막의 평균 마찰계수는 0.42이지만, 탄소함량을 증가함에 따라 0.31까지 감소 하였다. 이것은 박막 표면과 스틸볼 사이에서 탄소가 풍부한 층이 형성되어 일종의 고체윤활제 역할을 했기때문이다. 박막의 미세조직은 X-ray diffraction, Scanning electron microscopy, 그리고 X-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 분석하였다.

• 한국자기학회지
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• 제16권1호
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• pp.18-22
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• 2006

바나듐(V)도핑이 $Fe_3O_4$의 자기적 성질에 미치는 영향을 조사하기 위하여 졸-겔 방법을 이용하여 $V_xFe_{3-x}O_4$ 박막들을 제작하고, x-ray diffraction(XRD), x-ray photoelectron spectroscopy(XPS), conversion electron Mossbauer spectroscopy(CEMS), vibrating sample magnetometry(VSM) 등을 이용하여 그 구조적, 자기적 특성들을 측정 및 분석하였다. XRD 측정 결과에 따르면 $V_xFe_{3-x}O_4$ x=1.0까지 입방(cubic)구조를 유지하며, 그 격자 상수는 거의 변화하지 않았다. 바나듐의 2p 및 철의 2p 준위들에 대한 XPS 측정 및 분석 결과, 바나듐은 화합물 내에서 주로 +3가의 상태로 존재하며, 성분비 x가 증가함에 따라 +2가 이온의 농도가 증가함이 나타났다. CEMS측정 결과 $V^{3+}$이온들은 사면체 $Fe^{3+}$자리를 주로 치환하며, $Fe^{2+}$이온들은 팔면체 $Fe^{2+}$자리를 치환하는 것으로 나타났다. 박막들에 대한 상온에서의 VSM측정 결과, 바나듐을 작은 양 도핑 할 경우(x=0.14) $V_xFe_{3-x}O_4$의 포화자화량(saturation magnetization)은 $Fe_3O_4$ 비하여 증가함이 나타났으며, 다량 도핑 할 경우$(x\geq0.5) Fe_3O_4$에 비하여 점차적으로 감소함이 나타났다. $V_xFe_{3-x}O_4$의 보자력(coercivity)은 x의 증가에 따라 증가함이 나타났는데, $V^{2+}(d^3)$ 이온의 팔면체 자리 치환에 의한 비등방성의 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.634-639
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• 2001

We investigated the etching characteristics of chromium films by using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures with electron cyclotron resonance plasma. In order to examine the chemical etch characteristics of Cr films by using Cl$_2$/O$_2$ gas plasma, we obtained the etch rate with various gas mixing ratios. By X-ray photoelectron spectroscopy, the surface reaction on the chromium films during the etch was examined. From narrow scan analyses of Cr, Cl, and O, it was confirmed that a chromium oxychlorie (CrCl$_{x}$O$_{y}$) layer was formed on the surface by the etch using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures. We observed a new characteristic emission line during the etch of chromium films using Cl$_2$/O$_2$ gas mixtures by an optical emission spectroscopy. It was found that the peak intensity of this emission line had a tendency compatible with the etch rate. The origin of this emission line was discussed in detail. At the same time, the etched profile was also examined by scanning electron microscope.e.e.

• 한국세라믹학회지
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• 제30권11호
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• pp.911-918
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• 1993

X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) has been empolyed to investigate the structure of PbO-Bi2O3-Ga2O3 glasses. XPS OIS spectra recorded from binary PbO-Ga2O3 glasses clearly showed the presence of two peacks due to bridging and non-bridging oxygens, respectively. Gaussin best-fit deconvolution of the OIS peaks suggested there are substaintial amount of non-bridging oxygens in the structure. Therefore, in addition to the glassforming and charge compensating roles of PbO as suggested from the previous works, role of PbO as network modifiers needs to be considered. Addition of Bi2O3 to binary glasses resulted in the rapid decrease in the amount of non-bridging oxygens as well as in values of FWHM (Full Width at the Half Maximum intensity). It is believed that Bi2O3 form distorted BiO6 octahedra and therefore, work as intermediates. Infrared spectra also suggested that Ga2O3 behave as network-formers in the form of GaO4- tetrahedra.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.177-178
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• 2007

본 연구에서는 MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitor의 유전 물질로 사용되는 $Ba_xTi_yO_z$(BTO) 박막의 식각 특성을 고찰하였다. $Cl_2$/Ar 혼합가스를 이용하여 Inductively Coupled Plasma(ICP)에서 BTO 박막을 식각하였고, 식각된 BTO박막의 표면을 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석하였다. BTO박막의 식각 속도는 Ar이 80%인 식각 조건에서 31.7nm/min의 식각 속도를 추출하였고, 동시에 Pt박막에 대한 높은 선택비를 얻었다. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석 결과로부터 표면 반응을 조사하여, 식각 기구를 고찰하였다.

• 접착 및 계면
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• 제7권3호
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• pp.26-33
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• 2006

나일론 직물들이 전류세기 5, 10, 15, 20 A, 공급속도 5, 10, 15 m/min로 코로나 처리되었다. 나일론 직물의 표면변화를 X-ray 회절장치, 주사전자현미경(SEM)과 X-ray 광전자분석기(ESCALAB)로 확인하였다. 또한 물리적 성질의 변화를 인장 인열강도, 접착 및 습윤강도를 통하여 측정하였다. 접착에 사용된 접착제는 열경화성 반응형 폴리우레탄 핫 멜트 접착제이다. 대기압에서 코로나 방전처리에 의해 나일론 직물에 관능기들이 도입되어졌고, 그 결과 접착력은 향상되었다. 코로나 처리된 나일론 직물의 접착강도는 전류 세기가 증가할수록, 공급속도가 감소할수록 증가하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권4호
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• pp.221-225
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• 2014

Although gold wire bonding techniques have already matured in semiconductor manufacturing, weakly bonded wires in semiconductor chip assembly can jeopardize the reliability of the final product. In this paper, weakly bonded or failed aluminum bonding pads are analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron Spectroscopy (AES), and energy dispersive X-ray analysis (EDX) to investigate potential contaminants on the bond pad. We found the source of contaminants is related to the dry etching process in the previous manufacturing step, and fluorocarbon plasma etching of a passivation layer showed meaningful evidence of the formation of fluorinated by-products of $AlF_x$ on the bond pads. Surface analysis of the contaminated aluminum layer revealed the presence of fluorinated compounds $AlOF_x$, $Al(OF)_x$, $Al(OH)_x$, and $CF_x$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.139-139
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• 1999

• 공업화학
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• 제16권6호
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• pp.768-771
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• 2005

Silicon nitride ($SiN_x$) 박막이 상온에서 $SiO_2/Si$ 기판 위에 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링 방법에 의하여 증착되었다. 증착된 $SiN_x$ 박막의 조성은 x-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 분석되었으며 Si가 풍부한 $SiN_x$ 박막이 증착되었음을 확인할 수 있었다. 증착된 $SiN_x$ 박막은 annealing 온도와 시간을 변화하여 annealing 되었다. X-ray diffraction (XRD) 분석이 $SiN_x$ 박막 내에 Si의 결정화를 조사하기 위해서 수행되었고, 박막의 광학적 특성과 전기적 특성들이 Si nanodot의 형성을 확인하기 위하여 측정되었다. 그 결과로써, XRD 분석에서 Si으로 예상되어지는 peak을 관찰할 수 있었으며 annealing 시간과 온도가 증가함에 따라서 $SiN_x$ 박막의 photoluminescence intensity는 점진적으로 증가하는 것이 관찰되었다. Annealing 전과 후에 측정된 $SiN_x$ 박막의 capacitance-voltage 특성으로부터 $SiN_x$ 박막 내에 존재하는 Si nanodot에 의하여 electron이나 hole의 trap 효과가 나타남을 예상할 수 있었다.

• 청정기술
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• 제18권4호
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• pp.432-439
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• 2012

백금(Pt)과 루테늄(Ru)의 조성비가 일산화탄소(CO) 산화반응에 미치는 영향을 조사하고자 탄소를 지지체(support)로 사용한 20 wt% 백금과 백금-루테늄 시리즈 촉매(Pt : Ru = 7 : 3, 5 : 5, 3 : 7)를 콜로이드 방법(colloidal method)으로 합성하였다. 다양한 물리 화학적 분석장비인 투과전자현미경(transmission electron microscopy, TEM)과 X-선 회절(X-ray diffraction, XRD), 에너지 분산형 X-선 분석기(energy dispersive X-ray spectroscopy, EDS)를 이용하여 구조 화학적 특성을 분석하고, X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)을 통해 전자적 특성 변화를 확인하였다. 더불어 일산화탄소 벗김 전압전류실험(CO stripping voltammetry)을 이용하여 전기화학적 거동을 분석하였다. 합성된 촉매들 중 $Pt_5Ru_5/C$가 가장 낮은 개시 전위(vs. Ag/AgCl)와 가장 큰 일산화탄소의 전기화학적 활성화 표면적(CO EAS) 값을 나타냈으며 이를 통해 $Pt_5Ru_5/C$이 일산화탄소의 전기화학적 산화반응에 있어 가장 효과적인 촉매임을 확인하였다. $Pt_5Ru_5/C$의 격자상수 변화를 통한 구조적 특성변화 및 백금 d-밴드의 페르미 레벨 변화를 통한 전자적 특성변화 그리고 이작용기(bifunctional)의 효과가 일산화탄소의 전기화학적 산화반응에 대한 활성을 증진시켰다고 사료된다.