• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.490-495
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• 1999

In 0.18 $\mu \textrm m$ LOGIC device, the etch rate of NMOS polysilicons is different from that of PMOS polysilicons due to the state of polysilicon to manufacture gate line. To control the etch profile, we tested the ratio of $Cl_2$/HBr gas and the total chamber pressure, and also we reduced Back He pressure to get the vertical profile. In the case of manufacturing the gate photoresist line, we used Bottom Anti-Reflective Coating (BARC) to protect refrection of light. As a result we found that $CF_4O_2$ gas is good to etch BARC, because of high selectivity and good photoresist line profile after etching BARC. in the results of the characterization of plasma damage to the antenna effect of gate oxide, NO type thin film(growing gate oxide in 0, ambient followed by an NO anneal) is better than wet type thin film(growing gate oxide in $0_2+H_2$ ambient).

• 한국추진공학회지
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• 제19권1호
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• pp.1-8
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• 2015

MEMS 추력기를 위한 유리 박막 마이크로 점화기를 개발하였다. 수십 마이크로 미터의 두께를 가지는 유리 박막을 사용하여 점화기의 구조적 안정성을 향상시켰다. 마이크로 점화기는 박막 형성을 위한 감광 유리의 이방성 식각과 점화 코일 형성을 위한 Pt/Ti 증착 공정으로 제작되었다. 개발된 점화기는 유리 박막의 구조적 안정성으로 인하여 특별한 장치없이 추진제 충전이 가능하였다. 점화 실험이 성공적으로 이뤄졌으며 최소 점화 지연은 27.5 ms, 최소 점화 에너지는 19.3 mJ 이였다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2009년도 제33회 추계학술대회논문집
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• pp.289-292
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• 2009

본 연구에서는 감광유리를 이용한 PEM 마이크로 연료전지 바이폴라 플레이트의 제작 공정을 확립하고 성능 측정을 수행하였다. 감광유리는 무게가 가볍고 내화학성이 뛰어나며 제작이 용이하다. 비등방성 식각, 열 및 UV 접합, 그리고 금속 층 적층을 통한 MEMS 제작 공정이 확립되었다. 성능 측정 결과 활성화 영역에 은이 적층된 마이크로 연료전지의 성능이 그렇지 않은 것보다 우수하였으며 두 경우에서 측정된 마이크로 연료전지의 성능은 모두 국내외 마이크로 연료전지 연구 수준과 동등한 수준이었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권3호
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• pp.9-19
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• 2020

기능성 나노박막을 손상 없이 목표기판으로 옮기는 전사 기술은 나노박막 기반의 차세대 응용 제품 개발을 위한 초석이다. 본 논문에서는 최근 나노박막 전사의 연구 동향을 박막-기판 계면의 박리 원리에 따라 습식 식각 전사, 전기화학적 박리, 기계식 전사 방법 세 가지로 분류하여 간단하게 살펴볼 것이다. 더 나아가, 손쉽고, 기판 재활용이 가능하며, 광범위한 적용 가능성을 가지고 있어 유망 기술로 간주되는 기계식 전사 방법에 대하여 파괴 역학적 관점에 초점을 맞추어 다룰 것이다. 마지막으로, 나노박막의 기계식 전사 방법의 기술 성숙도를 향상시키기 위한 향후 도전 과제와 방향성에 대하여 고찰하고자 한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.25-32
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• 2017

본 논문에서는 플루오린화 수소산(hydrofluoric acid)과 표면 장력을 이용한 손실이 낮은 광섬유형 방향성 결합기 제작 방법을 제안한다. 제안한 방향성 결합기 제작 방법은 기존에 일반적으로 이용하던 열원을 이용한 제작 방법과는 다르게 다양한 장비들이 요구되지 않으며, 마멸을 이용한 방법보다 손실이 낮으며, 제작 과정이 매우 쉽다. 또한, 제작된 결과물은 테이퍼드(tapered) 형태의 아디아바틱(adiabatic)한 구조로 인해 광통신에서 널리 이용되는 C-band 영역에서 파장 의존성이 낮아 광통신에서 유망한 역할을 맡을 수 있다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.813-815
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• 2008

We prepared highly transparent and conductive Oxide/Metal/Oxide(OMO) multilayer by sputtering and developed wet etching process of OMO with a clear edge shape for the first time. The transmittance and sheet-resistance of the OMO are about 89% and $3.3\;{\Omega}/sq.$, respectively. We adopted OMO as a gate electrode of transparent TFT (TTFT) array and integrated OLED on top of the TTFT to result in high aperture ratio of bottom emission AM-OLED.

• Journal of Information Display
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• 제10권3호
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• pp.131-136
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• 2009

This is a report on the fabrication of a flexible OTFT backplane for electrophoretic display (EPD) using a printing technology. A practical printing technology for a polycarbonate substrate was developed by combining the conventional screen and inkjet printing technologies with the wet etching and oxygen plasma processes. For the gate electrode, the screen printing technology with Ag ink was developed to define the minimum line width of ${\sim}5{\mu}m$ and the thickness of ${\sim}70nm$ with the resistivity of ${\sim}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm$, which are suitable for displays with SVGA resolution. For the source and drain (S/D) electrodes, PEDOT:PSS, whose conductivity was drastically enhanced to 450 S/cm by adding 10 wt% glycerol, was adopted. In addition, the modified PEDOT:PSS could be neatly confined in the specific S/D electrode area that had been pretreated with oxygen. The OTFTs that made use of the developed printing technology produced a mobility of ${\sim}0.13cm^2/Vs.ec$ and an on/off current ratio of ${\sim}10^6$, which are comparable to those using thermally evaporated Au for the S/D electrode.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.912-915
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• 2004

Inductors material utilized in the downsizing passive devices and Rf components requires the physical and electrical properties at given area such as inductors thickness reduction, inductance and q-factor increase, low leakage current and thermal stability. In this study, Spiral inductors on the $SiO_2/Si$(100) substrate were fabricated by the magnetron sputtering method. Cu thin film with the thickness of $2{\mu}m$ was deposited on the substrate. Also we fabricated square inductors through the wet chemical etching technique. The inductors are completely specified by the turn width and the spacing between spirals. Both the width and spacing between spirals were varied from 10 to $60{\mu}m$ and from 20 to $70{\mu}m$, respectively. Inductance and Q factor dependent on the RF frequency were investigated to analyze performance of inductor arrays

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1549-1551
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• 1998

We have designed and developed narrow bandpass multipole filters for satellite communication using $YBa_2Cu_3O_{7-x}$(YBCO) thin films on MgO substrates. The superconducting film used in this study was prepared by laser ablation on one side polished MgO (100) substrates. A Nd:YAG laser was used to fabricate YBCO thin films. The wave length of the laser was 355 nm. The laser beam was focused onto a YBCO target rotating linearly to avoid deep craters that may eject macroscopic YBCO particles. The YBCO films were grown at $750^{\circ}C$ in the oxygen partial pressure of 200 mTorr. The deposited YBCO thin films were patterned by conventional wet-etching method. The transition temperatures of YBCO thin films were 85 - 88 K and the film thicknesses were about 5,000 $\AA$. By comparing the performances of normal-metal filters and YBCO filters, we observed that superconducting YBCO multipole filters have been showed superior performances at 77 K.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권4호
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• pp.5-8
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• 2009

In this paper, a high-quality low-temperature co-fired ceramic (LTCC) solenoid inductor using a solder ball and an air cavity on a silicon wafer for three-dimensional (3-D) system-in-package (SiP) is proposed. The LTCC multi-layer solenoid inductor is attached using Ag paste and solder ball on a silicon wafer with the air cavity structure. The air cavity is formed on a silicon wafer through an anisotropic wet-etching technology and is able to isolate the LTCC dielectric loss which is equivalent to a low k material effect. The electrical coupling between the metal layer and the LTCC dielectric layer is decreased by adopting the air cavity. The LTCC solenoid inductor using the solder ball and the air cavity on silicon wafer has an improved Q factor and self-resonant frequency (SRF) by reducing the LTCC dielectric resistance and parasitic capacitance. Also, 3-D device stacking technologies provide an effective path to the miniaturization of electronic systems.