The significant growth of the Si photovoltaic industry has been so far limited due to the high cost of the Si photovoltaic system. In this regard, the most expensive factors are the intrinsic cost of silicon material and the Si solar cell fabrication processes. Conventional Si solar cells have p-n junctions inside for an efficient extraction of light-generated charge carriers. However, the p-n junction is normally formed through very expensive processes requiring very high temperature (${\sim}1000^{\circ}C$). Therefore, several systems are currently under study to form heterojunctions at low temperatures. Among them, carbon nanotube (CNT)/Si hybrid solar cells are very promising, with power conversion efficiency up to 15%. In these cells, the p-type Si layer is replaced by a semitransparent CNT film deposited at room temperature on the n-doped Si wafer, thus giving rise to an overall reduction of the total Si thickness and to the fabrication of a device with cheaper methods at low temperatures. In particular, the CNT film coating the Si wafer acts as a conductive electrode for charge carrier collection and establishes a built-in voltage for separating photocarriers. Moreover, due to the CNT film optical semitransparency, most of the incoming light is absorbed in Si; thus the efficiency of the CNT/Si device is in principle comparable to that of a conventional Si one. In this paper an overview of several factors at the basis of this device operation and of the suggested improvements to its architecture is given. In addition, still open physical/technological issues are also addressed.
제어로봇시스템학회 1995년도 Proceedings of the Korea Automation Control Conference, 10th (KACC); Seoul, Korea; 23-25 Oct. 1995
/
pp.79-82
/
1995
The problem of temperature control for rapid thermal processing (RTP) in semiconductor manufacturing is discussed in this paper. Among sub=micron technologies for VLSI devices, reducing the junction depth of doped region is of great importance. This paper investigates existing methods for manufacturing wafers, focusing on the RPT which is considered to be good for formation of shallow junctions and performs the wafer fabrication operation in a single chamber of annealing, oxidation, chemical vapor deposition, etc., within a few minutes. In RTP for semiconductor manufacturing, accurate and uniform control of the wafer temperature is essential. In this paper, a robustr controller is designed using a recently developed optimization technique. The controller designed is then tested via computer simulation and compared with the other results.
In this study, the texturing and the emitter formation processes were carried out with the wafer adhesion method to increase the productivity and reduce the production cost of the multi-crystalline silicon solar cell. After fabricating $156{\times}156mm$ solar cell according to the wafer adhesion method, the operation characteristics were analyzed and compared with those of the solar cell fabricated by the standard process method. In the case of a solar cell formed by the wafer adhesion method, it showed Jsc of $32.87mA/cm^2$, Voc of 0.612V, FF of 78.04% and efficiency of 15.71% respectively. The efficiency of the solar cell formed by the wafer adhesion method was 0.1% higher than that of the solar cell formed by the standard method. In addition, the productivity of the texturing and the emitter formation processes is expected to be approximately doubled. Therefore, it is expected that the manufacturing cost of the multi-crystalline solar cell can be reduced due to the improved productivity compared with the standard process.
For applicating to 10-Gbit/s optical transimission systems, we have designed and fabricated a laser driver IC with extremely-high-operation-frequencies using AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs), and have investigated its performances. Circuits design andsimulation were performed using SPICE and LIBRA. A discrete AlGaAs/GaAs HBT with the emitter area of 1.5*10 .mu.m$^{2}$, used for the circuit fabrication, exhibited cutoff frequency of 63 GHz andmaximum osciallation frquency of 50 GHZ. After fabrication of MMICs, we observed the very wide bandwidth of DC~18 GHz and the S$_{21}$ gain of 17 dB for a laser driver IC from the on-wafer measurement. Metal-packaged laser driver IC showed the excellent eye opening, the modulation currents of 32 mA, the rise/fall time of 40 ps, measured at the data rates of 10-Gbit/s.
Rapid developing automation technology enhances the need of sensors. Among many materials, silicon has the advantages of electrical and mechanical property, Single-crystalline silicon has different piezoresistivity on 야fferent directions and a current leakage at elevated temperature, but poly-crystalline silicon has the possibility of controling resistivity using dopping ions, and operation at high temperature, which is grown on insulating layers. Each wafer has slightly different thicknesses that make difficult to obtain the precisely same thickness of a diaphragm. This paper deals with the fabrication process to make poly-crystalline silicon based pressure sensors which includes diaphragm thickness and wet-etching techniques for each layer. Diaphragms of the same thickness can be fabricated consisting of deposited layers by silicon bulk etching. HF etches silicon nitride, HNO$_3$+HF does poly -crystalline silicon at room temperature very fast. Whereas ethylenediamice based etchant is used to etch silicon at 11$0^{\circ}C$ slowly.
Objectives: This study aimed to elucidate the physicochemical properties of silica powder and airborne particles as by-products generated from fabrication processes to reduce unknown risk factors in the semiconductor manufacturing work environment. Materials and Methods: Sampling was conducted at 200 mm and 300 mm semiconductor wafer fabrication facilities. Thirty-two powder and airborne by-product samples, diffusion(10), chemical vapor deposition(10), chemical mechanical polishing(5), clean(5), etch process(2), were collected from inner chamber parts from process and 1st scrubber equipment during maintenance and process operation. The chemical composition, size, shape, and crystal structure of silica by-product particles were determined by using scanning electron microscopy and transmission electron microscopy techniques equipped with energy dispersive spectroscopy, and x-ray diffractometry. Results: All powder and airborne particle samples were composed of oxygen(O) and silicon(Si), which means silica particle. The by-product particles were nearly spherical $SiO_2$ and the particle size ranged 25 nm to $50{\mu}m$, and most of the particles were usually agglomerated within a particle size range from approximately 25 nm to 500 nm. In addition, the crystal structure of the silica powder particles was found to be an amorphous silica. Conclusions: The silica by-product particles generated from the semiconductor manufacturing processes are amorphous $SiO_2$, which is considered a less toxic form. These results should provide useful information for alternative strategies to improve the work environment and workers' health.
Experiment have been conducted about thin oxide characteristics according to O2/N2 ratio needed for EEPROM cell fabrication. As a result, we think that there is no problem even if we grow oxide layer with large O2/N2 ratio and short exidation time and when the water is implated by As before oxidation, the oxide breakdown field is about IMV/cm lower than that is not implanted. Especially, the thin oxide characteristic seems to be affected largely by wafer cleaning and oxidation in air. On the basis of these, tunnel type EEPROM cell is fabricated by 3um CMOS process and its characteristic is studied. Tunnel oxide thickness(100\ulcorner is chosen to allow Fowler-Nordheim tunneling to charge the floating gate at the desired programming voltage and tunnel area(2x2um\ulcorneris chosen to increase capacitive coupling ratio. For program operation, high voltage (20-22V) is applied to the control gate, while both drain and source are gdrounded. The drain voltage for erase is 16V. It is shown that charge retention characteristics is not limited by leakage in the oxide and program/erase endurance is over 10E4 cycles of program erase operation.
This paper presents the fabrication possibility of the micro actuator which uses a micro-thermal bubble, generated b micro-heater under pulse heating. The valve-less micropump using the diffuser/nozzle is consists of the lower plate, he middle plate, the upper plate. The lower plate includes the channel and chamber are fabricated on high processability silicon wafer by the DRIE(Deep Reactive Ion Etching) process. The middle plate includes the chamber and diaphragm d the upper plate is the micro-heater. The Micropump is fabricated by bonding process of the three layer. This paper resented the possibility of the PCR chip operation by the fabricated micropump.
Using a cantilever type nanoprobe having a 100㎚m aperture at the apex of the pyramidal tip of a near-field scanning optical microscope (NSOM), nanopatterning of polymer films are conducted. Two different types of polymer, namely a positive photoresist (DPR-i5500) and an azopolymer (Poly disperse orange-3), spincoated on a silicon wafer are used as the substrate. A He-Cd laser with a wavelength of 442㎚ is employed as the illumination source. The optical near-field produced at the tip of the nanoprobe induces a photochemical reaction on the irradiated region, leading to the fabrication of nanostructures below the diffraction limit of the laser light. By controlling the process parameters properly, nanopatterns as small as 100㎚ are produced on both the photoresist and azopolymer samples. The shape and size variations of the nanopatterns are examined with respect to the key process parameters such as laser beam power, irradiation time or scanning speed of the probe, operation modes of the NSOM (DC and AC modes), etc. The characteristic features during the fabrication of ordered structures such as dot or line arrays using NSOM lithography are investigated. Not only the direct writing of nano array structures on the polymer films but also the fabrication of NSOM-written patterns on the silicon substrate were investigated by introducing a passivation layer over the silicon surface. Possible application of thereby developed NSOM lithography technology to the fabrication of data storage is discussed.
Objectives: One major limitation encountered in retrospective exposure assessment for epidemiological study is the lack of exposure records and information maintained by companies which if they existed would allow the estimation of past exposure to hazardous operations and agents. This study developed a job-specific questionnaire(JSQ) to estimate exposure profiles among semiconductor workers, including operation and job. Methods: This JSQ can be directly applied to workers who work or have worked in a wafer fabrication or a chip packaging and assembly facility. Results and Conclusions: We used this JSQ to obtain past exposure information from semiconductor workers via face-to-face investigation. Major contents include questions on the facilities, operations and jobs to which they have been exposed since they entered employment in the semiconductor industry. The total number of questions in the JSQ is 18. Responses to this JSQ can be used not only to estimate retrospective exposure to operations and jobs in the semiconductor industry, but also to associate with the risk of all causes of death and risk of disease, including cancer.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.