• Title/Summary/Keyword: traveling-wave photodetector

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High-Speed Traveling-Wave Photodetector with a 3-dB Bandwidth of 410 GHz

  • Park, Jeong-Woo;Han, Sangpil;Lee, Donghun;Ryu, Han-Cheol;Shin, Jun-Whan;Kim, Namje;Yoon, Young-Jong;Ko, Hyunsung;Park, Kyung Hyun
    • ETRI Journal
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    • v.34 no.6
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    • pp.942-945
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    • 2012
  • A high-speed traveling-wave photodetector (TWPD) with an InGaAs absorber is designed and realized. The bandwidth of the TWPD is measured using electro-optic sampling techniques. The bandwidth is 410 GHz, which shows that the RC limitation is overcome. While the TWPD shows a low responsivity of 0.06 A/W at 1,550 nm, this value can be improved through further optimization of the structure without a sacrifice in bandwidth.

Analysis of Frequency Characteristic of Travelling-Wave Photodetector Using the FDTD Method (FDTD를 이용한 Travelling-Wave Photodetector의 주파수 특성 해석)

  • 공순철;이정훈;이승진;최영완
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.14-15
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    • 2000
  • We study the microwave characteristics of traveling-wave photodetector using the finite-difference time-domain method. We present two parameters for design, the width of PIN region and the thickness of i-layer, and analyze TWPD's property in frequency domain.

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Analysis of Equivalent Circuit Approach for Ridge Type CPW Traveling - Wave Structure (릿지 형태 CPW 진행파형 구조의 등가회로 분석)

  • 윤상준;공순철;옥성해;윤영설;구민주;박상현;최영완
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.41 no.3
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    • pp.45-54
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    • 2004
  • Microwave characteristics of ridge type CPW traveling-wave(TW) electroabsorption modulator and photodetector are affected by the thickness of intrinsic layer, width of guiding layer, and the separation of signal and ground electrodes. These factors are determined effective index of microwave and characteristic impedance due to changing of capacitance(C) and inductance(L) of device. However, conventional equivalent circuit of TW-structure is approximated to microstrip and CPW transmission line by distribution of electric and magnetic fields, respectively. In this paper, we analyzed microwave characteristics of TW-structure and found more accurate value of C and L by using finite difference time domain (FDTD) method. These values are adopted circuit element of equivalent circuit. Microwave characteristics obtained by the FDTD and equivalent circuit model show good agreement.

Traveling-wave type CPW InGaAsP Photodecector at 1.55$\mu\textrm{m}$ (1.55$\mu\textrm{m}$ 진행파형 CPW InGaAsP Photodetector)

  • Yun, Yeong-Seol;Gang, Tae-Gu;Lee, Jeong-Hun;Ok, Seong-Hae;Gong, Sun-Cheol;Choe, Yeong-Wan
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.39 no.3
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    • pp.41-48
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    • 2002
  • The bandwidth limitation of traveling-wave electroabsorption modulator(TW-EAM) is determined by the transit time, the velocity-mismatch between optical-wave and microwave, the impedance-matching, the dispersion and the microwave loss. In this paper, we introduce an hovel impulse response of TW-EAM considering transit time as well as velocity-mismatch. We analyze the effect of transit-time and velocity-mismatch at the same time, using the FDTD method. We investigate the modulation bandwidth by changing the depth of the intrinsic region. We suggest that the optimum depth of the intrinsic region is 0.2${\mu}{\textrm}{m}$ when the absorption coefficient($\alpha$) is 0.2${\mu}{\textrm}{m}$-1.

Nonlinearity of Traveling-wave Photodetector (진행파형 광 검출기의 비선형성)

  • Moon Yon-Tae;Yun Young-Seol;Choi Young-Wan
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 2004.08a
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    • pp.50-53
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    • 2004
  • 진행파형 광 검출기의 흡수영역에 입사되는 광전력은 흡수계수의 비로써 흡수되어 광전류를 생성한다. 흡수계수는 입사되는 작은 광전력에 독립적이지만, 충분히 큰 광전력에 대해서는 비선형적 함수가 된다. 본 논문에서는 입사되는 광전력의 크기에 따라 흡수계수가 비선형적으로 변화하는 식을 광포화 현상을 포함하여 모델링 하였고, 모델링 한 식을 사용하여 흡수영역에서 생성된 광전류를 계산하였다. 포화흡수로 인해 생성된 광전류가 비선형 특성이 나타남을 모의실험으로 계산하였다. 위의 결과를 입력 광전력에 독립적인 흡수계수를 이용하여 계산한 광전류와 비교하였다. 그리고 입사되는 광전력에 따라 생성된 비선형적 광전류의 특성을 투-톤 실험을 통해 고조파 성분으로 계산하였다.

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Effect of the transit time on the characteristics of 1.55 $\mu\textrm{m}$ traveling - wave waveguide photodetector (전이 시간이 1.55$\mu\textrm{m}$ 진행파형 광 검출기의 특성에 미치는 영향)

  • 이정훈;공순철;이승진;최영완
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.12-13
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    • 2000
  • 진행파형 광 검출기는 전기적으로 분포된(distributed) 구조이므로, 그 대역폭은 RC 시정수에 의해 제한되기보다는 광 흡수계수와 광과 마이크로파 사이의 진행속도 차에 의해 제한된다$^{(1)(2)}$ . 진행파형 광검출기에서 광과 마이크로파 사이의 속도 부정합이 대역폭에 미치는 영향은 속도 부정합 임펄스 반응(velocity-mismatch impulse response)의 제시를 통해 이미 분석되었다$^{(1)(2)}$ . 그러나, 대역폭에 제한에 큰 영향을 미칠 것이 예상되는 진성 흡수 영역에서의 전송자 표류 시간은 아직 구체적으로 고려되지 않았다. 본 논문에서는 진성 흡수영역에서의 전송자 표류 시간을 고려하였다. 그 전이 시간(transit time)을 고려하기 위해 속도 부정합 임펄스 반응을 수정하여 제시하였다. 새로히 제시된 임펄스 반응은 광 도파로 해석과 진성 영역 분할에 의해 모델화 되었으며, 이 임펄스 반응을 통해 전이 시간과 속도 부정합이 대역폭에 미치는 영향을 살펴보았다. (중략)

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