• 한국응용곤충학회지
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• 제40권2호
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• pp.97-103
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• 2001

전남지역에서 아메리카잎굴파리에 의한 거베라 피해엽율은 정식후 1년차에 89.7%, 2년차에 85.5%이었다. 피해주에서 갱도에 의한 피해엽율과 흡즙흔에 의한 피해엽율은 각각 44.7%와 55.3%이었다 황색끈끈이트랩에 유인된 성충은 5월 하순에 정식한 경우 정식 1년차에는 초기부터 성충이 포획되어 8월 상순까지 포획량이 계속 증가하였으나 이후 8월 하순까지는 밀도가 감소하다가 9월 상순부터 다시 포획량이 증가하였다. 정식 2년차에는 4월 하순부터 성충이 포획되기 시작하여 5월 중순부터 급격히 증가하고 7월 상순까지 높은밀도를 유지하다가 7월 중순부터 점차 밀도가 감소하여 7월 하순부터는 낮은 밀도를 유지하였으나,포충망에 의한 조사는 9월 상순과 10월 하순에 높은 밀도를 유지하였다. 유충과 번데기 밀도변동은 성충발생과 비슷하였으나 번데기 발생 peak가 유충보다 일주일 가량 늦었다. 거베라에서 기생봉에 기생당한 유충수는 정식 5주째부터 많아지기 시작하여 8월 하순까지 기생율이 평균 65%로 높았으나 9월 상순부터는 50%수준이었다. 유색끈끈이트랩에 유인량은 황색에서 가장 많았으며, 트랩의 설치위치는 지상 30~60cm범위에서 포획량이 많았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.212.1-212.1
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• 2015

본 연구에서는 용액 공정을 통해 제작한 IGZO 박막 트랜지스터의 Active layer를 적층 구조로 쌓아올리고, 신뢰성 평가를 위해 Gate에 지속적인 바이어스를 인가함으로써 소자의 문턱 전압 변화를 측정 실험을 진행하였다. Active layer 제작에 사용된 용액의 비율은 In:Zn:Ga = 1:1:30%로 제작되었고, 단일층부터 이중, 삼중층까지 적층을 하였다. 각 소자의 Active layer 층이 많아질수록 이동도가 1.21, 0.87, 0.69 ($cm^2/Vs$)으로 감소하는 등의 전기적 특성이 감소하는 경향을 보였다. 하지만 Gate에 10 V를 3000초간 지속적으로 인가해주었을 때 문턱 전압의 변화가 단일층일 때 10.4 V에서 삼중층일 때 1.3 V로 감소하였다. 이것은 Active layer의 층 사이의 계면이 형성되면서 current path에 영향을 주어 전기적 특성이 감소하였지만, 적층으로 인한 surface의 uniformity가 향상되는 것으로 확인하였다. 또한 1500초에서 Dit (Interface Trap Density)를 추출한 결과, 단일층에서는 $7.53{\times}10^{12}$($cm^{-2}-1$<)로 삼중층에서 $4.52{\times}10^{12}$($cm^{-2}-1$<)의 약 두 배 정도 높게 추출되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1993년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.55-58
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• 1993

In this paper, the relationship between trap properties and the molecular orientation owing to elongation was investigation from TSC, electrical conductivity and X-ray diffraction was investgated. The changes of the stretching direction, from an a-axis orientation(at low elongation) to a c-axis orientation(at high elongation), as the elongation increases. were determined from X-my diffraction patterns. These results suggest that the tendency for a decrease in the trap density at a higher elongation is consistent with a continuous change of the reorientation from the a-axis to the c-axis as the elongation increases.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 추계학술대회 논문집
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• pp.46-49
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• 1994

In this paper we investigate the characteristics of switching and memory traps in sealed MONOS nonvolatile memory devices with different nitride thicknesses. We have demonttrated flatband voltage shift of 1V with 5V programming voltage. By fitting the experimental observations with theoretical calculations, trap density and capture cross section of memory trap at the nitride-blocking oxide interface are estimated to be 1.0${\times}$10$\^$13/ cm$\^$-2/ and 8.0${\times}$10$\^$14/ cm$\^$-2/

• Water Engineering Research
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• 제7권1호
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• pp.29-41
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• 2006

The Imha watershed is vulnerable to severe erosion due to the topographical characteristics such as mountainous steep slopes. Sediment inflow from upland area has also deteriorated the water quality and caused negative effects on the aquatic ecosystem of the Imha reservoir. The Imha reservoir was affected by sediment-laden density currents during the typhoon 'Maemi' in 2003. The RUSLE model was combined with GIS techniques to analyze the mean annual erosion losses and the soil losses caused by typhoon 'Maemi'. The model is used to evaluate the spatial distribution of soil loss rates under different land uses. The mean annual soil loss rate and soil losses caused by typhoon 'Maemi' were predicted as 3,450 tons/km2/year and 2,920 ton/km2/'Maemi', respectively. The sediment delivery ratio was determined to be about 25% from the mean annual soil loss rate and the surveyed sediment deposits in the Imha reservoir in 1997. The trap efficiency of the Imha reservoir was calculated using the methods of Julien, Brown, Brune, and Churchill and ranges from 96% to 99%.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권2호
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• pp.167-173
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• 2017

In this paper, the characterization of the vertical position of trapped charges in the charge-trap flash (CTF) memory is performed in the novel CTF memory cell with gate-all-around structure using technology computer-aided design (TCAD) simulation. In the CTF memories, injected charges are not stored in the conductive poly-crystalline silicon layer in the trapping layer such as silicon nitride. Thus, a reliable technique for exactly locating the trapped charges is required for making up an accurate macro-models for CTF memory cells. When a programming operation is performed initially, the injected charges are trapped near the interface between tunneling oxide and trapping nitride layers. However, as the program voltage gets higher and a larger threshold voltage shift is resulted, additional charges are trapped near the blocking oxide interface. Intrinsic properties of nitride including trap density and effective capture cross-sectional area substantially affect the position of charge centroid. By exactly locating the charge centroid from the charge distribution in programmed cells under various operation conditions, the relation between charge centroid and program operation condition is closely investigated.

• 한국응용곤충학회지
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• 제46권1호
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• pp.117-122
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• 2007

전남지역 담수직파재배지에서 발생하여 피해를 주고 있는 왕우렁이를 방제하기 위해 오리 및 통발과 유인제를 이용하여 시험한 결과는 다음과 같다. 왕우렁이를 포식하는 오리는 작은 오리(700g)가 큰오리(1300g) 보다 더 많이 포식하였다. 작은 오리 1마리보다는 2마리 있을 경우 포식량이 더 많아 투입 2일째에 90% 이상의 우렁이를 섭식하였다. 왕우렁이와 오리를 동시에 투입하는 것 보다 왕우렁이 투입 7일후에 오리를 투입하는 것이 왕우렁이 방제에 효과적이었다. 또한 왕우렁이를 잡초제거 용으로 활용한 1개월 후부터는 오리를 어느 시기에 투입하더라도 왕우렁이 밀도를 억제시킬 수 있었다. 왕우렁이 월동이 끝나는 5월 상순에 오리를 $30m^2$ 당 4마리 투입함으로써 밀도를 억제할 수 있었다. 왕우렁이를 방제하기 위해 통발로 떡밥과 유인제를 혼합하여 유인한 결과 왕우렁이는 잉어용 떡밥에 menthol이 첨가된 통발에서 216마리/1주(週) 유인되었다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제32권4호
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• pp.389-394
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• 1993

페로몬 트랩을 이용하여 파밤나방 성충의 발생 소장을 조사한 결과 1990년 충남 예산에서의 발생 최성기는 7월 중하순, 8월 중순, 9월 하순, 11월 중순이었다. 1991년 충남 아산에서 발생 최성기는 7월 하순, 8월 하순~9월 중순, 11월 중순이었다. 1990년 3년 동안 수원에서 조산한 결과 해가 경과함에 따라 발생량이 증가하였다. 1991년 충남 아산의 파 포장에서 유충의 경시적 밀도를 조사한 결과 4회의 발생 피크가 있었고 최고 밀도에 도달한 9월 중순까지 점진적으로 증가하였고 그 후 급격히 감소 하였다. 수원 지역에서 산란 최초일이 5월18일이 될 경우 년 4세대 발생이 가능하며 제 1세대는 48일, 제 2세대는 25일, 제3세대는 23일, 제4세대는 58일이 소요되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.101-106
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• 2009

In this paper, Thin films of $HfO_2$/Hf were deposited on p-type wafer by Atomic Layer Deposition (ALD). We studied the electrical and material characteristics of $HfO_2$/Hf/Si MOS capacitor depending on thickness of Hf metal layer. $HfO_2$ films were deposited using TEMAH and $O_3$ at $350^{\circ}C$. Samples were then annealed using furnace heating to $500^{\circ}C$. Round-type MOS capacitors have been fabricated on Si substrates with $2000\;{\AA}$-thick Pt top electrodes. The composition rate of the dielectric material was analyzed using TEM (Transmission Electron Microscopy), XRD (X-ray Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). Also the capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V), and current-voltage (I-V) characteristics were measured. We calculated the density of oxide trap charges and interface trap charges in our MOS device. At the interface between $HfO_2$ and Si, both Hf-Si and Hf-Si-O bonds were observed, instead of Si-O bond. The sandwiched Hf metal layer suppressed the growing of $SiO_x$ layer so that $HfSi_xO_y$ layer was achieved. And finally, the generation of both oxide trap charge and interface trap charge in $HfO_2$ film was reduced effectively by using Hf metal layer.

• 한국응용곤충학회지
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• 제47권4호
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• pp.345-352
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• 2008

전북 고창의 시설하우스에서 수박 재배 작기에 따른 해충의 시기별 발생 밀도를 2006년부터 2007년 까지 조사하였다. 촉성재배에서 발생되는 주요 해충은 목화진딧물이었으며, 다발생기는 3월 중순과 4월 하순이었다. 반촉성재배에서 발생되는 주요 해충은 목화진딧물과 응애류(점박이응애+차응애) 이었으며, 다발생시기는 6월 이었다. 억제재배에서는 목화진딧물, 응애류(점박이응애+차응애), 아메리카 잎굴파리, 목화바둑명나방의 발생과 피해가 많았다. 목화진딧물과 응애류는 9월에 발생량이 많았다. 아메리카잎굴파리는 9월 상순에 발생량이 많았다. 목화바둑명나방은 8월 중순부터 피해가 나타났으며, 9월 중순에 피해엽률이 79.4%로 가장 큰 피해를 주었다.